功能描述：MOSFET 4N-CH 10.6V 0.08A 16DIP

制造商：advanced linear devices inc.

系列：EPAD?，Zero Threshold?

包装：管件

零件状态：有效

FET 类型：4 N 沟道，配对

FET 功能：逻辑电平门

漏源极电压（Vdss）：10.6V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：80mA

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：-

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：20mV @ 10μA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：-

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：-

功率 - 最大值：500mW

工作温度：0°C ~ 70°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：16-DIP（0.300"，7.62mm）

供应商器件封装：16-PDIP

标准包装：50

ALD210808ASCL

ALD210808PCL

ALD210808SCL

ALD210814PCL

ALD210814SCL

ALD212900APAL

ALD212900ASAL

ALD212900PAL

ALD212900SAL

ALD212902PAL